RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
40
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2125
3702
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link