RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
50
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1899
2548
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link