RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
22.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1917
3792
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link