RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1731
2962
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link