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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
84
Rund um -180% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
3.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
84
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.0
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.6
6.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
1254
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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