RAM-Vergleich Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Gesamtnote

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 31

Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.4 11.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

18.1 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1906 3529

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns