RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
3562
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link