RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
2525
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link