RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
3527
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link