RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
51
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
2248
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link