RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
1858
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link