RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
3064
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link