RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2697
3022
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link