RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
42
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2697
2476
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link