RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
54
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
11.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2697
2511
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link