RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
3009
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link