RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
2559
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link