RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
50
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
2326
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link