RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
9.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
2323
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link