RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
2900
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link