RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Vergleichen Sie
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB
Gesamtnote
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Gesamtnote
Kingston HX316C10F/4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
67
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX316C10F/4 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
6.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
5.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1997
1247
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link