RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
14.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3052
3597
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link