Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB

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Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Unterschiede

Kingston HP669238-071-HYC 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 29
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.2 left arrow 11.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 5.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 12.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.5 left arrow 9.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1913 left arrow 2443
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RAM 1
RAM 2

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