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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
12800
Rund um 1.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
16800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1913
2318
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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