RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
9.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1913
2340
Kingston HP669238-071-HYC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Kingston 9905584-037.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link