RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Vergleichen Sie
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Gesamtnote
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
69
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
4.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1116
2780
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link