RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
69
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
4.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.1
11.2
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1116
2468
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link