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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Vergleichen Sie
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Gesamtnote
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
69
Rund um -263% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
4.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1116
3220
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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