RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Vergleichen Sie
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Gesamtnote
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gesamtnote
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1820
2962
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link