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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB
Gesamtnote
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gesamtnote
Super Talent F3200UA8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
58
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Super Talent F3200UA8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
9.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1820
2250
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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