Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Gesamtnote
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Unterschiede

Kingston KF2666C15S4/8G 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 44
    Rund um -69% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.8 left arrow 14.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.5 left arrow 10.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    44 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 16.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.8 left arrow 13.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2425 left arrow 2880
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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