Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Gesamtnote
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Unterschiede

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 14.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 38
    Rund um -36% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.4 left arrow 9.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    38 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 14.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 11.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2496 left arrow 2481
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RAM 1
RAM 2

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