RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
40
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2148
2513
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link