RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2148
2764
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link