RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2511
2711
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link