Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Unterschiede

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 38
    Rund um -12% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.7 left arrow 15.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 9.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 14200
    Rund um 1.8 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    38 left arrow 34
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.2 left arrow 16.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 12.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    14200 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2496 left arrow 2584
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche