RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2726
2384
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link