RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
32
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3084
2291
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link