RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gesamtnote
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
60
Rund um -173% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
13.2
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
3178
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link