RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
60
Rund um -173% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
12.4
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
3035
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link