RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3501
2354
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link