RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
73
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
2,465.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,169.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,465.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
781
1724
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB RAM-Vergleiche
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link