RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Gesamtnote
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Gesamtnote
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
61
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
2,410.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,230.0
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,410.6
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
754
2235
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link