RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2432
2938
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link