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Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
75
Rund um -134% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
14.5
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
3379
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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