RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
75
94
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
8.8
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
1699
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link