RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
75
Rund um -134% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
3372
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link