RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
50
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2553
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link