Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Gesamtnote
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Unterschiede

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    38 left arrow 50
    Rund um -32% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 1,905.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    50 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5,143.3 left arrow 9.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,905.1 left arrow 8.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    855 left arrow 2110
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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