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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
50
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
3355
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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